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Placa de onda de orden bajo de 193 nm

HOGAR Polarizadores VUV personalizados para láser a 193 nm

Placa de onda de orden bajo de 193 nm

placa de onda ultravioleta profunda
Placa de onda de orden bajo de 193 nm

193 nm Orden baja Placa de ondaUn dispositivo de polarización ultravioleta profunda ajusta con precisión el estado de polarización de la luz incidente. Se utiliza en sistemas DUV como la litografía y la investigación láser; está fabricado con materiales resistentes a la radiación de 193 nm para garantizar estabilidad y precisión.

 

Características:

Espesor: 0,1-0,5 mm

Umbral de daño alto

 

  • Número de artículo :

    WPL
  • Origen del producto :

    FuZhou
NUEVOS PRODUCTOS

Presupuesto:

Material:
Cuarzo
Tolerancia de diámetro:
+0,0, -0,1 mm
Distorsión del frente de onda:
λ/8 a 632,8 nm
Tolerancia al retraso:
λ/50
Paralelismo:
<1 segundo de arco
Calidad de la superficie:
20/10
Apertura clara:
>90%
Revestimiento:
S1 y S2: R<0,2% a longitud de onda
Longitud de onda estándar:
193,368 nm

 

193 nm Productos:

Placas de media onda P/N#
Placas de cuarto de onda P/N#
Diámetro (mm)
WPL-210-193
WPL-410-193
10.0
WPL-212-193
WPL-412-193
12.7
WPL-215-193
WPL-415-193
15.0
WPL-220-193
WPL-420-193
20.0
WPL-225-193
WPL-425-193
25.4
WPL-230-193
WPL-430-193
30.0
WPL-235-193
WPL-435-193
35.0
WPL-250-193
WPL-450-193
50.0

 

Ventajas técnicas de las placas de onda multiorden de 193 nm:
Las placas de onda multiorden de 193 nm logran un retardo de fase de alta magnitud mediante la optimización de materiales birrefringentes adaptados a longitudes de onda ultravioleta profunda y la combinación de tecnología de acabado con haz de iones. Sus principales ventajas incluyen una alta precisión de retardo con errores de fase. <±1 % a la longitud de onda de 193 nm: la aplicación de la tecnología de acabado por haz de iones reduce significativamente las microdesviaciones en el espesor óptico de los materiales, lo que proporciona un control de polarización más preciso para sistemas láser de ultravioleta profundo, como los láseres excimer. Su estructura compacta elimina la necesidad de diseños complejos en cascada, lo que la hace muy adecuada para módulos ópticos de ultravioleta profundo integrados en sistemas de litografía. Un alto umbral de daño láser (>5 J/cm² a 193 nm) garantiza su fiabilidad en aplicaciones de ultravioleta profundo de alta potencia, mientras que la superficie ultralisa formada por el acabado por haz de iones reduce aún más el riesgo de acumulación local de energía bajo la irradiación láser de alta energía. En los sistemas de medición de polarización espectral ultravioleta profundo, el retardo de fase estable garantizado por el acabado por haz de iones mantiene el error de medición del grado de polarización dentro del 2 %, lo que facilita el análisis de polarización de alta precisión en escenarios como la caracterización de fotosensibles y la espectroscopia de la capa de ozono atmosférico.

 

 

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