Este tipo de placa de onda de orden cero está construida con una placa de onda de orden cero real y un sustrato BK7, ya que la placa de onda es muy delgada y se daña fácilmente, la función de la placa BK7 es fortalecer la placa de onda.
Características: Ancho de banda espectral amplio Amplio ancho de banda de temperatura Ancho de banda de gran angular Cementado por Expoy |
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Número de artículo :
WPAOrigen del producto :
FuZhouPresupuesto:
Material:
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Cuarzo
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Tolerancia de diámetro:
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+0,0, -0,1 mm
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Distorsión del frente de onda:
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λ/8 a 632,8 nm
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Tolerancia al retraso:
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λ/300
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Paralelismo:
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<1 segundo de arco
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Calidad de la superficie:
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20/10
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Apertura clara:
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>90%
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Revestimiento:
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S1 y S2: R<0,2% a longitud de onda
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Longitud de onda estándar:
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355 nm, 532 nm, 632,8 nm, 780 nm, 808 nm, 850 nm, 980 nm, 1064 nm, 1310 nm, 1480 nm, 1550 nm
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Productos estándar:
Placas de media onda P/N#
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Placas de cuarto de onda P/N#
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Diámetro (mm)
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WPF210
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WPF410
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10.0
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WPF212
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WPF412
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12.7
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WPF215
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WPF415
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15.0
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WPF220
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WPF420
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20.0
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WPF225
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WPF425
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25.4
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WPF230
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WPF430
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30.0
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Ventajas técnicas de la placa de onda de orden cero real:
La verdadera placa de onda de orden cero logra un retardo de fase de orden cero genuino (no equivalente a la superposición de múltiples órdenes) a través del diseño de espesor preciso de un único material birrefringente, con ventajas técnicas que incluyen: control de fase ultrapreciso, logrando una precisión de retardo de nivel λ/1000 (error de fase < 0,1%) y dependencia de la longitud de onda < 0,5 % en todo el rango espectral de 350 a 2200 nm, superando ampliamente las estructuras cementadas/de múltiples órdenes tradicionales; estabilidad de temperatura extremadamente amplia, con variación de retardo < 1,5 % durante el funcionamiento a temperaturas de -50 °C a 120 °C, lo que elimina la necesidad de control de temperatura en entornos extremos; y un umbral de daño láser ultraalto (>20 J/cm² a 1064 nm, 10 ns), ideal para aplicaciones de alta potencia como láseres pulsados de femtosegundos. En sistemas de fuentes de luz con entrelazamiento cuántico, su sensibilidad a longitudes de onda subnanométricas mejora la fidelidad del estado de polarización a más del 99,9 %; en equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV), su retardo de fase estable garantiza una precisión de polarización de ±0,05° para fuentes de luz de 13,5 nm, lo que ayuda a optimizar la resolución litográfica de patrones de circuitos a escala nanométrica.